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功率器件静态参数测试系统

导读:功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA,详询一八一四零六六三四七六

单台PW:高达12V/1000A,可多台并联

CW:高达3000V/100mA

最小分辨率:30uV/10pA

单价:488888.00元/台

起订量:1 台

有效期至:长期有效

更新日期:2022-05-07 11:54

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  ➤功率器件静态参数测试系统详情:

功率器件静态参数测试系统简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

       功率器件静态参数测试系统具有友好的上位机操作界面,被测参数以建立工程形式进行测量,用户可以配置工程中的相关参数。支持单独测试功率器件某一项静态参数及一键测试已建立工程的静态参数,可自动导出测试数据,提高测试效率。


       功率器件静态参数主要包括I-V特性、C-V特性等,普赛斯作为源表研发生产厂家,以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源光伏风电轨交变频器等场景。

 

产品特点

PMST系统配置

关键参数

备注

P系列
脉冲源表

PW高达30V/10A、300V/1A

栅极特性测试

CW高达300V/0.1A、30V/1A

最小脉冲宽度200uS

HCP系列
大电流脉冲源表

PW高达30V/100A

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试

CW高达10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脉冲宽度80uS

HCPL系列
高电流脉冲电流源

单台PW高达12V/1000A,可多台并联

最小脉冲宽度50uS

E系列
高电压源测单元

CW高达3000V/100mA

IGBT击穿电压测试

最小分辨率10mV/100pA

测量精度 0.1%

电桥

频率范围:20Hz~1MHz

IGBT各级间电测试

HVP系列提供0~400V直流偏置电压
S系列提供0~30V直流偏置电压

预置偏置电阻100kΩ

矩阵开关

/

电路切换及源表切换

主机

/

 

测试夹具

根据器件封装形式定制

 

系统具体配置由用户自行选择,以车规IGBT为例,一般配置如下:

功率器件静态参数测试系统订货信息

 

产品应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBTSICGaN

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