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IGBT静态参数测试系统1000A

发布时间:2022-05-07 09:23:51 ¤手机版

更新时间:2022-05-07 11:17:31

单价:488888.00元/台

起订量:1 台

供货总量:10000 台

发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货

所在地:湖北 武汉市

有效期:长期有效

导读:普赛斯IGBT静态参数测试系统1000A集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA,详询一八一四零六六三四七六

  ➤IGBT静态参数测试系统1000A详情:

IGBT一种是功率半导体器件,用于电力转换、变频,相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能优势,具有高耐压,大电流,低导通损耗等特点。

随着技术的升级,芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小,器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电, 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。普赛斯IGBT静态参数测试系统1000A集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六

 

IGBT静态测试方案

IGBT静态参数测试平台优点:

    量程范围宽—具有高电压和大电流特性,电压可高达3kV,电流可高达4000A(多模块并联)。

    测量精度高—采用多量程设计架构,各量程下均可保证0.1%精度,具有uΩ级精确测量、pA级电流测量能力。

    模块化测量单元—测量单元采用模块化设计理念,可根据测试需求搭配不同规格测量单元。系统预留有升级空间,后期可添加或升级测量单元,降低整体使用成本。

    测试效率高—内置专用开关矩阵夹具,符合国标测试要求,根据测试项目自动切换电路与测量单元,提高测试效率。

    技术指标

IGBT静态参数测试系统1000A

IGBT静态参数测试系统1000A

IGBT静态参数测试系统1000A应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;

 

IGBT静态测试要求

 

IGBT静态参数测试系统1000A优点:

高电压:支持高达3KV高电压测试;

大电流:支持高达4KA大电流测试;

高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量;

丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;

配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;

数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;

模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;

可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;

可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

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