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MOS测试中心第三方实验室

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所在地: 陕西 西安市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-03-25 16:24
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公司基本资料信息
详细说明

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是CNAS 认可实验室,属于大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品;

检测电压:7500V 检测电流:6000A

国标,IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件

检测电压:2500V 检测电流:200A

美军标

栅电阻

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

检测阻0.1Ω~50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件;

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,国标,IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

国标,IEC

反向恢复

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,国标,IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

国标,IEC

栅电荷

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,国标,IEC等

栅电荷

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

国标,IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:1000A

美军标,国标,IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:10000A

国标,IEC

结电容

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测电压:3000V 检测电流:1500A 温度:-70°C~180°C

美军标,IEC等

热阻性能

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品

功率:250W

美军标,JEDEC

热阻性能

IGBT等模块产品

功率:4000W

美军标,JEDEC

ESD能力

MOSFET、IGBT、IC等产品

HBM电压:8000V;MM电压:800V

美军标,ANSI,JEDEC等

*正向浪涌能力

DIODE(Si/SiC)、整流桥

检测电流:800A

美军标,国标

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