推广 热搜: App  护栏  开关电源  泡沫炮  电动车  徽章  商务服务  股票    配资 

长禾功率器件电参数测试

点击图片查看原图
 
单价: 面议
起订:
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 陕西 西安市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-03-25 16:22
浏览次数: 2
询价
 
公司基本资料信息
详细说明
 
长禾实验室检测能力范围
1 功率金属氧化物场效应管 1 漏源间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测: -3.5kV~3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测: 0~10kΩ,,0~1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测: -10V~10V
4 漏反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测: -100mA~100mA
5 栅漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测: -100mA~101mA
6 体二管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测: 0A~1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测: 1ms~1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
10 体二管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 10ns~2µs
11 体二管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 1nC~100µC
12 栅电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测: Qg:0.5nC~500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
14 栅串联等效电阻 功率MOSFET栅串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测: 0.1Ω~50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测: Ph:0.1W~250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测: Ph:0.1W~250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
21 温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测: HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件D(间歇功率)
23 稳态功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件C(稳态功率)
2 二管 1 反向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 只测: 0~100mA
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 只测: 0~100mA
2 反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 只测: 0~3.5kV
3 正向压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测: IS:0A~6000A
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 只测: IS:0A~6000A
4 浪涌电流 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 只测: If:0A~9000A
5 反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 1nC~100µC
反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 10ns~2us
6 二管反压变化率 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 只测: VR:5V~3300V, IF:1A~1500A
7 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 只测: L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A
稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 只测: Ph:0.1W~80W
8 总电容电荷 半导体器件 分立器件和集成电路 2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
9 结电容 半导体器件 分立器件和集成电路 2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
3 晶闸管 1 门触发电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只测: 100nA~500mA
2 门触发电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只测: 5mV~5V
3 维持电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只测: 10µA~1.5A
4 擎住电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只测: 10µA~1.5A
5 浪涌电流 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 只测: ITSM:0A~9000A
6 正向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 只测: 1nA~100mA
7 反向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 只测: 1nA~100mA
8 正向导通压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 只测: IT:0~6000A
9 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 只测: Ph:0.1W~250W
4 晶体管 1 直流增益 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 只测: 1~50000
2 集射饱和压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 只测: 0~1250A
3 集射电关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 只测: 0~100mA
4 集基电关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 只测: 0~100mA
5 射基关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 只测: 0~100mA
6 集射反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 只测: -3.5kV~3.5kV
7 集基反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 只测: -3.5kV~3.5kV
8 射基反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 只测: -3.5kV~3.5kV
9 基射电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 只测: 0V~1250A
10 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 只测: Ph:0.1W~250W
5 绝缘栅双型晶体管 1 集射间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测: -3.5kV~3.5kV
2 通态电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 只测: 0~1500A
3 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测: 0~10kΩ
4 集电反向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测: 0~100mA
5 栅漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测: 0~100mA
6 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测: 1ms~1000s
7 开关时间&损耗 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 只测: VD:5V~3.3kV, ID:0.5A~1500A
半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 只测: 5V~3.3kV
8 短路耐受时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 只测: ISC:10A~5000A , TSC:1us~50us
半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 只测: 5V~3.3kV
9 栅电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测: Qg:0.5nC~100uC
半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 只测: 5V~3.3kV
10 二管反向恢复时间 半导体器件 分立器件 2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 只测: 5V~3.3kV
11 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
12 栅串联等效电阻 功率MOSFET栅串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测: 0.1Ω~50Ω
13 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 只测: Ph:0.1W~250W
16 输入电容 半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
17 输出电容 半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18 反向传输电容 半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19 反偏安全工作区 半导体器件 分立器件 9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 只测: 5V~3.3kV
6 通用电子产品 1 高低温循环试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051 只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
温度循环 JESD22-A104E:2014 只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
2 高温试验 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1 只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032 只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
电工电子产品环境试验 2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.2-2008 只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
3 低温试验 电工电子产品环境试验 2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008 只测温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
4 高温存储寿命试验 高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015 只测温度:180℃, 容积: 58cm×76cm×75cm
5 低温存储寿命试验 低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015 只测温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
           
更多>本企业其它产品
IGBT模块双脉冲参数检测中心实验室 半导体双脉冲参数检测中心第三方实验室 二管参数检测中心第三方实验室 晶体管数检测中心第三方实验室 IGBT功率器件测试中心第三方实验室 晶闸管测试中心第三方实验室 半导体浪涌电流测试中心第三方实验室 半导体雪崩能量测试中心第三方实验室
0相关评论
 
 
分享按钮
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  免责声明  |  网站地图  |  排名推广  |  购买积分  |  升级会员  |  广告服务  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报