半导体IGBT，MOS碳化硅老化半导体模块高温反偏测试仪

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1、设备简述

IGBT高温反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。

ENX2020C 测试系统是专为 IGBT 模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验系统可对相应的 IGBT 器件进行适配器匹配。测试标准符合 MIL-STD-750，IEC60747。本设备采用计算机自动控制系统，后台软件实时监控、自动处理目标数据，具有测试精度高、操作方便、高效等优点。

该系统适用于中低压 IGBT 模块产品的高温反偏测试，最大测试电压为1200V。可以实现对 IGBT 器件集电极-发射极电压 Vce、集电极-发射极漏电流Ices、壳温 Tc、时间等各项参数的检测，根据程序设定自动完成测试，记录保存测试数据并且可以随时浏览导出,系统安全可靠，运行稳定。

2、试验台概要

2.1、电气系统额定参数

A．输入电压：380V AC；

B. 输出电压：0-1200V DC；

C. 输出电流：0-150mA；

D. 工作相抵湿度：空气湿度 < 50%；

E. 环境温度：0-40℃。

2.2、加热及散热系统

该设备测试夹具共4个工位，毎路均配置独立的加热及冷却系统，控温范围为：70-150±1.0℃，温度分辨率为0.1℃。散热器表面温度升到目标温度控制在40分钟内。

每个工位配有温度控制系统，配备温控表显示实时温度。如图温控表上面为实时温度，下面为设定温度。如需温控表的详细参数，请咨询技术人员索要说明书。

2.3、主系统及其配置

主要配置如下，实际配置需满足招标产品工艺与产能需求。

1．主机_1_套；

2．试验工位 4 个；

3．直流电源 1 台；

4．温度控制系统 4 套；

5．电参数（漏电流、电压）检测装置 4 套；

6．工控机电脑 1 套；

Windows7 操作系统，友好的用户操作界面，人机对话，窗口式操作界面，并且保证长时间工作无故障。

7．主机配备 3 色 LED 警示灯，烟雾报警器，急停开关，安全联锁。 

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